KBRKBR-C-25.5-525-3P 电容器 原装正品

从上世纪80 年代的彩电国产化开始，到今天家电的普及，我国的电容器产业得到了**的发展，在数量、质量、服务等方面充分满足了各类电子整机发展的需求，并带动了相关的材料行业、设备行业、仪器仪表行业的发展。目前，我国已成为**电容器生产大国和消费大国，产量****。
前瞻产业研究院发布的《中国电容器行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》显示，2005-2011年，我国电容器行业资产规模不断扩大，资产总额以12.29%的年均速度增长，2005年，资产总额为118.05亿元，2011年资产总额增长至236.69亿元;行业的销售规模以19.28%的年均速度不断扩大，从113.63亿元增至327.32亿元;行业利润年均增速为17%，从8.26 亿元增长至21.19 亿元。
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1766-L32BXB
CP5611
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KHT-107-12PAJ1-MKM
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储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在10～220 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的 B43504或B43505系列以及Yadacon公司的CD135,CD136系列电容）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级**过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器
KHT-107-12PAJ1-MKM
ASC-02+SLD-01
RSP-500-24
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KHT-107-12PAJ1-MKM
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电容器是由两个电极及其间的介质材料构成的。介质材料是一种电介质，当被置于两块带有等量异性电荷的平行较板间的电场中时，由于较化而在介质表面产生较化电荷，遂使束缚在较板上的电荷相应增加，维持较板间的电位差不变。这就是电容器具有电容特征的原因。电容器中储存的电量Q等于电容量C与电极间的电位差U 的乘积。电容量与较板面积和介电材料的介电常数 ε成正比，与介电材料厚度（即较板间的距离）成反比。
KBR-C-22.5-525-3P
KBR-C-37.0-525-3P
KBR-C-43.5-520-3P-Y
KBR-R-50.0/5.5-400-Al
KBR-R-30.0/7-400-Al
KBR-M-5.5E25/C-Al

发展简况
原始的电容器是1745年荷兰莱顿大学P.穆森布罗克发明的莱顿瓶，它是玻璃电容器的雏形。1874年德国M.鲍尔发明云母电容器。1876年英国D.斐茨杰拉德发明纸介电容器。1900年意大利L.隆巴迪发明瓷介电容器。30年代人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介电容器。1921年出现液体铝电解电容器，1938年前后改进为由多孔纸浸渍电糊的干式铝电解电容器。1949年出现液体烧结钽电解电容器，1956年制成固体烧结钽电解电容器。50年代初，晶体管发明后，元件向小型化方向发展。随着混合集成电路的发展，又出现了无引线的**小型片状电容器和其他外贴电容器。

电容器所用介电材料主要为固体，可分为**和无机两大类。根据分子结构形式，无机介电材料有微晶离子结构、无定形结构和两者兼有的结构（如陶瓷、玻璃、云母等）。**介电材料主要为共价键组成的高分子结构，按结构对称与否又可分为非极性（如聚丙烯、聚苯乙烯等）和极性（聚对苯二甲酸乙二酯等）两类。电解电容器所用介质是直接生长在阳极金属上的氧化膜，也是离子型结构。
介电材料在外电场作用下会发生较化、损耗、电导和击穿等现象，它们代表着电介质的基本特性，而这些特性又取决于组分和分子结构形式
UHPC-33.4-480-3P
AMX4 DC24V
KL1002
R165329420
R151231014
R155231004
M07M-A16 16KG
1756-OB16E
1768-L45
1768-M04SE
1769-IQ16
1769-OW16
AGP3600-T1-D24
CA5-PFSALL/EX-01
8720MC-RPS065BM
20-COMM-E
KHT-107-12PAJ1-MKM
6ES7223-1PL22-0XA8
6ES7216-2BD23-0XB8
RWD60
103615700000NB2252停产,替代284341400000
VUVE-F-L-M52-A-G18-1C1停产 替代VUVS-L20-M52-AD-G18-F7-1C1
2W-15-AC220V
VVF53.25-10
VVF53.32-16
SKB62
去耦，又称解耦。从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。
去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。
将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。
UHPC-22.5-480-1P
UHPC-17.9-480-3P
UHPC-22.3-525-3P
UHPC-25.0-440-3P
UHPC-30.0-440-3P
UHPC-33.4-480-3P
UHPC-40.0-480-3P
UHPCL-50.0-480-3P
UHPC-25.0-525-3P
UHPC-37.0-525-3P
UHPC-40.0-525-3P
UHPC-18.4-300-1P
UHPC-39.6-900-3P