电容器所用介电材料主要为固体,可分为**和无机两大类。根据分子结构形式,无机介电材料有微晶离子结构、无定形结构和两者兼有的结构(如陶瓷、玻璃、云母等)。**介电材料主要为共价键组成的高分子结构,按结构对称与否又可分为非极性(如聚丙烯、聚苯乙烯等)和极性(聚对苯二甲酸乙二酯等)两类。电解电容器所用介质是直接生长在阳极金属上的氧化膜,也是离子型结构。
介电材料在外电场作用下会发生较化、损耗、电导和击穿等现象,它们代表着电介质的基本特性,而这些特性又取决于组分和分子结构形式
UHPC-33.4-480-3P
AMX4 DC24V
KL1002
R165329420
R151231014
R155231004
M07M-A16 16KG
1756-OB16E
1768-L45
1768-M04SE
1769-IQ16
1769-OW16
AGP3600-T1-D24
CA5-PFSALL/EX-01
8720MC-RPS065BM
20-COMM-E
KHT-107-12PAJ1-MKM
6ES7223-1PL22-0XA8
6ES7216-2BD23-0XB8
RWD60
103615700000NB2252停产,替代284341400000
VUVE-F-L-M52-A-G18-1C1停产 替代VUVS-L20-M52-AD-G18-F7-1C1
2W-15-AC220V
VVF53.25-10
VVF53.32-16
SKB62
特性参数
1耐压
2容量
折叠标称电容量和允许偏差
标称电容量是标志在电容器上的电容量。
电容器的基本单位是法拉,简称法(F),但是,这个单位太大,在实**注中很少采用。
其它单位关系如下:
1F=1000mF
1mF=1000μF
1μF=1000nF
1nF=1000pF
电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。
精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)。
一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取
发展简况
原始的电容器是1745年荷兰莱顿大学P.穆森布罗克发明的莱顿瓶,它是玻璃电容器的雏形。1874年德国M.鲍尔发明云母电容器。1876年英国D.斐茨杰拉德发明纸介电容器。1900年意大利L.隆巴迪发明瓷介电容器。30年代人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介电容器。1921年出现液体铝电解电容器,1938年前后改进为由多孔纸浸渍电糊的干式铝电解电容器。1949年出现液体烧结钽电解电容器,1956年制成固体烧结钽电解电容器。50年代初,晶体管发明后,元件向小型化方向发展。随着混合集成电路的发展,又出现了无引线的**小型片状电容器和其他外贴电容器。
在规定频率的正弦电压下,电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为耗损角正切。在实际应用中,电容器并不是一个纯电容,其内部还有等效电阻。对于电子设备来说,要求RS越小越好。也就是说要求损耗功率越小,其与电容的功率夹角越小。
电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。 在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的较化建立过程有关。